Samsung разработал память для смартфонов с увеличенной в 8 раз пропускной способностью

Samsung заявил, что разработал новый тип памяти для мобильных устройств, в частности, для телефонов и таблеток с 8ми кратно увеличенной пропускной способностью. Уровень пропускной способности для памяти LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) увеличен путем простого увеличения контактов на чипе в 16 раз – с 32 штук до 512. Эффект увеличения числа ножек и дает увеличение производительности в 8 раз. Для сравнения, это, как обычно, DDR разогнали с 1.6GB в секунду  до 12.8GB, и на сегодня такой результат в 4 раза лучше любой существующей LPDDR2.

Кроме такого, увеличение пропускной способности снизит энергопотребление чипа аж до 87%

Первым чипом выполненным по новой технологии будет 128 Мб чип с гигабитной пропускной способностью, а до 2013 года Samsung обещает выпустить 512 Мб версию с 4 гигабитной пропускной способностью.

electronista.com