iPhone 6s оснастят 2 ГБ оперативной памяти

Тайванские поставщики комплектующих сообщают, что Apple увеличит объем оперативной памяти до 2 Гб в новом iPhone 6s.

Кроме того, сообщается, что вместо нынешней DDR3 будет использоваться DDR4.

Новые версии iOS смогут работать с очень ресурсоемкими приложениями. Чтобы многозадачность не пострадала, и смартфону хватило памяти, чтобы со всем справиться, купертиновцы увеличат объем ОЗУ, – такие данные приводит портал Gforgames.

Такое решение позволит увеличить производительность и продлить время автономной работы устройства.
Модули DRAM-памяти LPDDR4 в iPhone 6s и iPhone 6s Plus гарантируют хорошее быстродействие и энергетическую эффективность.

Максимальная пропускная способность LPDDR4 составляет 34 ГБ/с (для сравнения – DDR3 пропускает 17 ГБ/с). Новый формат оперативной памяти для Apple будут выпускать Hynix, Samsung и Micron-Elpida.